IBM desenvolve memória 100 vezes mais rápida que memória Flash

A IBM está desenvolvendo uma nova memória do tipo Phase Change Memory, 100 vezes mais rápida que a atual memória Flash

Daqui a cinco anos poderemos estar usando dispositivos muito mais rápidos e confiáveis, graças à invenção da IBM. A nova memória Phase Change Memory (PCM) é capaz, segundo o Engadget, de atingir velocidades de escrita e leitura 100 vezes superiores à da atual memória Flash, mantendo-se confiável durante milhões de ciclos de leitura/escrita – por oposião aos milhares de ciclos conseguidos pela Flash.

Esta nova memória é baseada numa liga especial, capaz de ser “formatada” em diferentes estados físicos (que representam os zeros e os uns) recorrendo a pequenas quantidades controladas de eletricidade.

A IBM espera conseguir ter a tecnologia pronta a ser usada dentro de cinco anos.